G3VM-21PR□ MOS FET继电器 USOP 低端子间电容&低导通电阻型(低C×R)

USOP封装、实现低C×R的
MOS FET继电器

  • 负载电压 20V
  • G3VM-21PR10:低C×R=2.4pF • Ω、COFF(标准)=0.8pF、RON(标准)=3Ω
  • G3VM-21PR1:低C×R=3pF • Ω、COFF(标准)=5pF、RON(标准)=0.6Ω
  • G3VM-21PR11:低C×R=7.2pF • Ω、COFF(标准)=40pF、RON(标准)=0.18Ω

下载

此网页提供了火博体育|中国有限公司规格书。有关详细信息,请参阅火博体育|中国有限公司规格书及其他相关文件。
可下载的数据CAD数据可通过“型号一览”进行下载。

商品目录

数据类型 文件名 更新日期
目录 目录 G3VM-21PR□
注意事项 MOS FET继电器 共通注意事项
选型指南 选型指南 G3VM MOS FET RELAY 选型指南
用语说明 MOS FET继电器 用语说明
火博体育|中国有限公司文档 MOS FET继电器 INDEX

型号一览

刊载了各型号的相关信息。CAD数据、RoHS证书可在登录或注册会员后下载。

型号 2D/3D CAD*1 ECAD*2 购买 RoHS证书 生产终止
G3VM-21PR1 登录/会员注册 登录/会员注册
RoHS证书 生产中
G3VM-21PR1(TR05)
RoHS证书 生产中
G3VM-21PR10 登录/会员注册 登录/会员注册
RoHS证书 生产中
G3VM-21PR10(TR05)
RoHS证书 生产中
G3VM-21PR11 登录/会员注册 登录/会员注册
RoHS证书 生产中
G3VM-21PR11(TR05)
RoHS证书 生产中
  • *1关于2D,3D CAD数据的规格,请浏览如下网站。
  • *2外部网站(Ultra Librarian)将在新窗口中打开。
    ECAD数据由Ultra Librarian根据本公司提供的信息独立制作而成,本公司不保证ECAD数据的准确性、最新性和完整性。